Samsung разработала первый модуль памяти DDR4 DRAM

Samsung Electronics объявила, что в прошлом месяце завершила разработку первого в мире модуля памяти DDR4 DRAM с использованием технологического процесса 30-нм класса (30-нм класс означает, что задействовался техпроцесс с нормами от 30 до 39 нм).

«Samsung активно поддерживает ИТ-индустрию своими инициативами по созданию «зелёной» памяти путём использования экологически чистых инновационных продуктов, обеспечивающих высокую производительность и энергетическую эффективность год за годом», - заявил Донг Су Цзюн, президент подразделения Samsung, работающего с памятью. – «Новые модули DDR4 DRAM ещё более «зелёные». И вы сами в этом убедитесь, когда мы представим четырёхгигабитные продукты на её основе».

Новые модули DDR4 DRAM могут достигать скорости передачи данных 2,133 Гбит/с при напряжении 1,2 вольта. Для сравнения, DDR3 DRAM, производимая по тем же нормам 30-нм класса может передавать данные со скоростью 1,6 Гбит/с при напряжении 1,35 или 1,5 вольта. Таким образом, энергопотребление снижается на 40%.

Новые модули используют новую технологию псевдо-открытого коллектора, адаптированной с высокопроизводительной графической памяти GDDR(n). Это позволило понизить потребление тока при чтении и записи вдвое (в сравнении с DDR3).

Используя новую схемотехнику, память DDR4 от Samsung сможет передавать данные со скоростью от 1,6 до 3,2 Гбит/с (типичная скорость DDR3 – 1,6 Гбит/с, DDR2 – 0,8 Гбит/с).