Toshiba: массовое производство 19 нанометровой флеш памяти начнется летом

Японский индустриальный гигант Toshiba представила чип памяти типа NAND, созданный по нормам 19 нанометрового технологического процесса, который ориентирован на применение в смартфонах и планшетных компьютерах. Использование двух бит на ячейку, а также 8 Гбайт памяти на одном чипе позволяет компании создавать стеки из 16 чипов общим объемом 128 Гбайт. Всем известно, что на сегодняшний день максимальный объем встроенной памяти смартфона составляет не больше 32 Гбайт. В новых чипах реализована технология Toggle DDR 2.0, которая ускоряет обмен данными. По данным производителя, новые чипы поддерживают 3 битные ячейки памяти, что в свою очередь способствует повышению плотности хранения данных в будущем.

Руководство Toshiba заявило, что массовое производство чипов начнется уже летом. Компания также сообщила, что новые образцы чипов в достаточном количестве были поставлены нескольким ведущим производителям рынка электроники. Можно с уверенностью предположить, что чипы найдут применение в устройствах компании Toshiba, а также в новых смартфонах iPhone 5, производство которых также должно начаться летом. Вполне возможно, что чипы также будут применены в плеерах iPod Touch. Учитывая высокую себестоимость планок памяти такого объема вряд ли можно рассчитывать в ближайшем будущем увидеть на рынке смартфоны или планшеты с объемом внутренней памяти 128 Гбайт. Но можно с уверенностью утверждать, что массовое производство новинок существенно снизит стоимость предыдущего поколения чипов объемом 64 Гбайта.