Ведущие полупроводниковые компании построят новый исследовательский центр в штате Нью-Йорк

Ведущие компании в области полупроводниковых продуктов Intel, IBM, Globalfoundries, TSMC и Samsung объявили о совместном проекте стоимостью в $4,4 млрд. на следующие пять лет. Его целью станет создание центра исследований и разработки новых поколений полупроводниковых изделий.

Большая часть этой суммы будет внесена компанией IBM, $3,6 млрд. на разработку 22 нм и 14 нм технологических процессов производства компьютерных чипов. Также целью компании является разработка кристаллических пластин размеров 450 мм, которые придут на смену нынешним 300 мм пластинам. Этот переход должен позволить снизить себестоимость производства чипов и снизить негативное влияние на окружающую среду.

Два участника проекта уже имеют действующие договорённости в области данных разработок. В январе о партнёрстве в области разработки 14 нм технологического процесса объявили IBM и ARM, а в феврале Intel сообщила о планах по инвестированию суммы в $5 млрд. в строительство фабрики в штате Аризона. Предприятие под названием Fab 42 должно быть запущено в 2013 году и специализироваться на производстве 14 нм чипов из 300 мм пластин.

Новый проект должен создать 2500 новых рабочих мест в высокотехнологичной отрасти, в то время, как общее число новых рабочих мест в штате Нью-Йорк достигнет 7 тысяч. Из бюджета штата на проект будет выделено $400 млн., которые поступят в распоряжение колледжа CNSE в Олбани, специализирующегося на исследовании нанотехнологий.

Intel, которая обычно возглавляет переходы на новые технологические процессы в массовых решениях, в настоящий момент производит 32-нм чипы для настольных компьютеров, ноутбуков и серверов. Переход на 22 нм производство ожидается в следующем году на чипах Ivy Bridge. Затем следуют 16 нм чипы в 2013 году, и 11 нм в 2015.