Из-за низкого спроса на оперативную память производителям постоянно приходится снижать её стоимость, что, само собой, приводит к снижению доходов компаний. Чтобы бороться с таким положением дел, разработчикам приходится постоянно улучшать технологии, тем самым побуждая потребителей к покупке усовершенствованных изделий.
По такому пути идёт, в частности, компания SK Hynix. Последний её пресс-релиз представляет оперативную память вида DDR3L-RS, создаваемую по 20 нм технологическому процессу. Создатели без ложной скромности описывают её как «лучшее решение для ультрабуков и планшетных компьютеров». В данной памяти заметно сокращено энергопотребление в режиме ожидания, что является большим плюсом; минус же в том, что пока неизвестно, прошла ли она процедуру стандартизации JEDEC.
Итак, энергопотребление по сравнению с памятью типа DDR3L уменьшилось на 70%, при этом производительность осталась на том же уровне, рабочая тактовая частота по-прежнему 1600 МГц, а рабочее напряжение 1,35 В. Hynix предлагает варианты памяти ёмкостью 2 Гб, 4 Гб и 8 Гб. Также данная память будет представлена в форм-факторе SO-DIMM.
Стоимость нового продукта пока не называется, однако, по предварительным оценкам, она окажется меньше, чем у не слишком распространённой памяти типа LPDDR3.