GlobalFoundries собирается ввести 10 нм и 7 нм техпроцессы в 2015 и 2017 годах

На прошедшем на прошлой неделе форуме Common Platform Technology компания GlobalFoundries и её промышленные партнёры приоткрыли некоторые свои планы в долгосрочной перспективе. Компании GlobalFoundries и Samsung Semiconductor, подтвердили, что собираются и в будущем поддерживать высокие темпы развития и перехода на новые технологические процессы. Переход на 14 нм техпроцесс намечен на будущий год, а в последующие четыре года планируется также ввести в строй 10 нм и 7 нм техпроцессы.

Пока же, в нынешнем году, GlobalFoundries начнёт производство чипов по 20 нм технологическому процессу. Далее предстоит переход на гибридный 14 нм XM-гибридный процесс с использованием FinFET-транзисторов размером 14 нм и 20 нм компонентов конечных операций обработки (back-end-of-line (BEOL) interconnect flow). На этом же принципе в 2015 году будет построен 10 нм XM-процесс, с транзисторами 10 нм и компонентами 14 нм.

Важным вопросом, помимо разработки передовых техпроцессов, является достижение достаточного объёма выпуска чипов на их основе. К концу года GlobalFoundries будет способна ежемесячно выпускать около 190 тысяч кристаллических пластин размером 300 мм, из которых изготавливаются чипы по 40 нм, 32 нм, 28 нм и 20 нм технологиям. Однако, основной конкурент в лице компании TSMC уже сейчас выпускает в месяц до 1,076 млн. пластин ежемесячно, так что в этом плане GlobalFoundries предстоит ещё проделать значительную работу.