SK Hynix обещает к концу года представить чипы памяти LPDDR3 4 Гб

Компания SK Hynix в начале нынешней недели объявила о создании первого в мире чипа памяти типа LPDDR3 объёмом 8 Гб. Выпускается он по 20 нм технологическому процессу и станет одним из наиболее производительных решений в области оперативной памяти для мобильных устройств с высокой плотностью и низким уровнем энергопотребления. В современных планшетах и смартфонах пока что редко можно встретить объём памяти выше 2 Гб, так что новая разработка позволит повысить этот показатель. Во втором полугодии ожидается появление ряда устройств верхней ценовой категории с возросшим объёмом памяти LPDDR3.

Память от Hynix обладает скоростью в 2133 Mб/с, что выше показателей других существующих решений LPDDR3, составляющих 1600 Mб/с. Один 32-разрядный канал позволяет обрабатывать 8,5 Гб данных в секунду, соответственно, для двух каналов этот показатель составляет 17 Гб/с. Рабочий уровень напряжения чипа равняется 1,2 В.

Новые чипы смогут выпускаться в различных формах, как PoP (Package on Package), в одном корпусе с решениями eMMC (embedded multimedia card) или устанавливаться на платы ультрабуков и планшетов. В одном корпусе смогут размещаться микросхемы памяти на 4 Гб, причём высота этого корпуса будет снижена. Энергопотребление по сравнению с чипами типа LPDDR2 в режиме ожидания уменьшилось на 10% при 2-кратном росте производительности. Запуск новинок в промышленное производство намечен на конец года.