Toshiba начала строительство второго блока завода Fab5 по выпуску чипов памяти NAND

Компания Toshiba в четверг провела церемонию закладки первого камня в фундамент второго блока своего завода Fab5. Это предприятие является частью промышленного комплекса Yokkaichi Operations Memory Production Facility в префектуре Миэ. Завершить строительство планируется к лету будущего года.

Новое производство будет представлять собой пятиэтажный бетонный корпус, благодаря нему общая площадь Fab5 увеличится до значения 187 тысяч квадратных метров. Целью является расширение объёмов выпуска чипов флеш-памяти типа NAND и трёхмерной памяти. Впрочем, решение о загрузке промышленных мощностей и объёмах выпускаемой продукции будут приниматься на основе текущих потребностей рынка.

Три предприятия комплекса Yokkaichi Operations, включая первый блок Fab5, в настоящее время уже занимаются производством чипов NAND-памяти. Блок 1 был введён в эксплуатацию два года назад, в июле 2011. Теперь руководство японской компании тщательно проанализировало спрос на рынке, подстёгиваемый растущими объёмами производства смартфонов, планшетов и SSD,и текущий уровень предложения, и приняло решение о начале строительства блока 2.