Поиск на сайте: Расширенный поиск


Новые программы oszone.net Читать ленту новостей RSS
CheckBootSpeed - это диагностический пакет на основе скриптов PowerShell, создающий отчет о скорости загрузки Windows 7 ...
Вы когда-нибудь хотели создать установочный диск Windows, который бы автоматически установил систему, не задавая вопросо...
Если после установки Windows XP у вас перестала загружаться Windows Vista или Windows 7, вам необходимо восстановить заг...
Программа подготовки документов и ведения учетных и отчетных данных по командировкам. Используются формы, утвержденные п...
Red Button – это мощная утилита для оптимизации и очистки всех актуальных клиентских версий операционной системы Windows...
OSzone.net Новости Hardware Samsung начинает промышленное производство памяти DDR4 RSS

Samsung начинает промышленное производство памяти DDR4

Текущий рейтинг: 4.71 (проголосовало 14)
 Посетителей: 2092 | Просмотров: 2263 (сегодня 0)  Шрифт: - +

Компания Samsung в эту пятницу объявила о начале промышленного производства оперативной памяти типа DDR4 по 20 нм технологическому процессу, которая войдёт в том числе в состав корпоративных серверов и дата-центров нового поколения. Первые модули станут доступны в будущем году; конкретные сроки пока не называются.

Южнокорейская компания в настоящее время выпускает широкий перечень продуктов, начиная от мобильных устройств и заканчивая серверами, которые выиграют от появления нового типа памяти собственного производства. То же самое относится к многочисленным OEM-производителям, продукты которых сейчас используют память производства Samsung.

*

Чипы памяти DDR4 объёмом в 4 Гб дадут возможность выпускать на их основе планки вместимостью 16 и 32 Гб. Они достигают новых вершин в плане скорости передачи данных, достигнув значения в 2667 МГц, что составляет прирост на 25% по сравнению с 20 нм памятью DDR3. Планки памяти объёмом 32 Гб будут функционировать на номинальной частоте 2133 МГц, при этом уровень энергопотребления будет снижен на 30%.

Спецификации DDR4 были представлены организацией JEDEC без малого год назад. Производительность DDR4 DRAM составляет от 1,6 до 3.2 GT/s на один контакт, при сниженном до 1,2 В номинальном напряжении. Поддержка данного типа памяти появится в будущем году в процессорах Intel Haswell-E.

Автор: Алексей Алтухов  •  Иcточник: xbitlabs.com  •  Опубликована: 01.09.2013
Нашли ошибку в тексте? Сообщите о ней автору: выделите мышкой и нажмите CTRL + ENTER
Теги:   Samsung, память, DDR4.


Оценить статью:
Вверх
Комментарии посетителей
Комментарии отключены. С вопросами по статьям обращайтесь в форум.