Новости оперативной памяти: MRAM и DDR4

Сотрудничество японских и американских разработчиков может положить конец 20-летнему правлению на рынке оперативной памяти типа DRAM. Более двадцати ведущих полупроводниковых компаний объединили свои интеллектуальные и производственные силы с целью развития нового типа памяти – магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM). В число разработчиков входят компании Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics, Hitachi и Micron Technology.

На севере Японии, в университете города Тохоку, будет проведено несколько десятков исследовательских работ; начало проекта запланировано на февраль будущего года. Память MRAM полагается не на электрический заряд, как это происходит сейчас, а на магнитные элементы хранения данных (что у исследователей уже начинает становиться тенденцией).

MRAM будет расходовать энергиив три раза меньше по сравнению с DRAM, при этом предлагая в 10 раз больший объём и во столько же раз возросшую скорость записи данных. Если эти обещания и окажутся достоверными, то ждать ещё предстоит немало – коммерческая реализация такой памяти запланирована на 2018 год.

До тех же пор предстоит работать с DDR4. Однако и её ещё предстоит дождаться: несмотря на начатое рядом компаний (Samsung, SK Hynix и Micron) производство, появления их в пользовательских компьютерах не стоит ожидать раньше 2015 года. Только в будущем году в материнских платах на чипсетах Intel и AMD начнёт появляться их поддержка. У Intel она запланирована в чипах Skylake, а у AMD в серверных процессорах Opteron.

Компания IDC предсказывает, что за счёт поддержки контроллерами производства IBM и Fujitsu DDR4 к концу 2014 года займёт 1% рынка DRAM-памяти, а к концу 2015 года этот показатель вырастет до 9%.