Samsung начала коммерческое производство 20 нм памяти DDR3 DRAM DIMM 4 Гб

Компания Samsung объявила вчера о начале промышленного производства оперативной памяти 4 Гб DDR3 DRAM на основе 20 нм технологического процесса. Первые образцы данных чипов памяти были представлены ещё год назад.

С производственной точки зрения эффективность выпуска 20 нм памяти на 30% выше, чем 25 нм DRAM DDR3 и почти в два раза эффективнее 30 нм памяти. Что касается технических параметров памяти, говорится о 25% росте энергоэффективности по сравнению с 25 нм чипами.

В процессе производства используется аргон-фторидная эксимер-лазерная литография, которая идёт в сочетании с более передовыми техниками двойного шаблона (double patterning) и атомно-слоевого осаждения (atomic layer deposition). На будущее компания планирует использовать это же сочетание технологий при производстве более передовых чипов, вплоть по 10 нм решений.

В Samsung надеются, что использование 20 нм чипов памяти поможет ещё большему распространению мобильных устройств и увеличит показатели их производительности до уровней ноутбуков и даже настольных ПК.