Компании Toshiba и SanDisk готовятся к переходу на 15 нм чипы NAND-памяти

Компании Toshiba и SanDisk объявили вчера о своём намерении начать в недалёком будущем производство чипов флеш-памяти на основе 15 нм технологического процесса. Toshiba заявляет, что новый производственный процесс будет использоваться при создании модулей памяти объёмом 128 Гбит (16 Гб), где в одной ячейке хранится два бита данных (память типа MLC). Переход позволит японскому производителю задействовать высокоскоростной интерфейс передачи данных, обещан рост производительности до 533 Мбит/с. Это в 1,3 раза быстрее, чем на выпускающихся сейчас по 19 нм технологическому процессу чипах памяти.

Производством чипов будет заниматься завод Yokkaichi неподалёку от города Осака. Помимо чипов MLC Toshiba собирается представить NAND-память TLC, сначала для смартфонов и планшетов, а затем и для твердотельных накопителей ноутбуков.

SanDisk также планирует переход на 15 нм чипы, которые в компании называют 1Z-nm node. Во втором полугодии здесь собираются начать производство чипов MLC и TLC, готовя их для твердотельных накопителей и съёмных дисков. SanDisk ожидает от перехода снижения себестоимости производства по сравнению с нынешними чипами 1Y-nm node, намереваясь предложить «самые компактные» чипы памяти вместимостью 128 Гбит.