AMD готовится к использованию 3D-памяти в будущих APU

Компания AMD в настоящее время ведёт работу над интеграцией в свои будущие продукты памяти типа Stacked DRAM (3D-память, High Bandwidth Memory), о чём говорит новая серия попавших в сеть слайдов. Разработка идёт в рамках проекта Fastforward, и одной из целей является увеличение пропускной способности памяти в новых поколениях ускоренных процессорных элементов (APU). О конкретных моделях пока не говорится, и будет ли новый тип памяти применён в следующих по графику APU Carizzo, неизвестно.

Использование двух блоков 3D-памяти может значительно увеличить пропускную способность APU. Благодаря ним APU получат 1024-разрядную шину памяти и пропускную способность до 128 Гбит/с. Для сравнения, у памяти GDDR5 эти показатели составляют 32 бита и 28 Гбит/с. AMD будет использовать блоки памяти с рабочим напряжением 1,2 В; на один слой приходится 2 Гб памяти, всего в блок входят 4 модуля DRAM. Однако анализ различных вариантов архитектур и интерфейсов подключения в настоящее время ещё не окончен.

3D-памятью проект Fastforward не ограничивается, и его цели простираются в область исследования технологий процессоров и памяти, пригодных для экзаскалярных вычислений. Помимо Stacked DRAM, в проект входят архитектура HSA, неволатильная память, новые API, PIM (Processing In Memory) и другие технологии.