Samsung готовит накопители на 3-битных чипах памяти 3D Vertical NAND

Хотя стоимость твердотельных накопителей неуклонно снижается, до цен на жёсткие диски им пока далеко. В июле Samsung выпустила накопители 850 Pro, первые с чипами V-NAND (2-битные), однако высокая стоимость несколько затемняла все их преимущества.

Изменить сложившееся соотношение Samsung надеется в скором времени. Вчера компания анонсировала начало промышленного производства памяти 3D Vertical NAND с 3-битными ячейками (MLC). Если в традиционных чипах памяти ячейки располагаются рядом друг с другом, то здесь используется вертикальное расположение в 32 слоя.

Такой подход позволяет значительно снизить себестоимость производства – с пластин аналогичной площади получается вдвое больше чипов, чем при использовании 3-битной планарной NAND-памяти Samsung на 10 нм техпроцессе. При этом отпадает необходимость перехода на более тонкий технологический процесс, который снижает долговечность памяти.

3D V-NAND предлагает большую плотность хранения данных, однако в плане долговечности 3-битные решения всё же уступают 2-битным. 2-битные чипы памяти обычно предлагают большую скорость чтения/записи, а 3-битные – больший объём и меньшую стоимость. По этой причине Samsung может принять решение не использовать данную память в твердотельных накопителях серии Pro, а задействовать её в линейке Evo. Появление новых накопителей ожидается в конце года.