В состав процессоров компании Qualcomm будущего года войдёт новый стандарт быстрой подзарядки - Quick Charge 3.0. В частности, он будет использоваться в новом флагманском чипе Snapdragon 820, став вдвое быстрее по сравнению с Quick Charge 1.0 и на 27% быстрее второй версии. С 0% до 80% смартфоны можно будет заряжать за 35 минут.
По сравнению с прошлым поколением обещан рост энергоэффективности на 38% и сокращение диссипации (рассеивания) энергии на 45%. Поддержка стандарта Intelligent Negotiation for Optimum Voltage (INOV) позволит точно определять уровень заряда и объём требуемой для зарядки энергии. Настройка рабочего напряжения ведётся в диапазоне 3,6-20 В с шагом 0,2 В, тогда как прежде было доступно лишь четыре значения. Quick Charge 3.0 сохранит обратную совместимость с прежними версиями и разными коннекторами, в том числе USB типа С. Помимо Snapdragon 820, новая зарядка войдёт в состав моделей 620, 618, 617 и 430.
Последние две модели были анонсированы на этой же неделе. Snapdragon 430 получил новый модем с X6 LTE с входящей скоростью до 150 Мбит/с и поддержкой агрегирования каналов 2x10 МГц, исходящей скоростью до 75 Мбит/с - впервые для процессоров данной ценовой категории. Также Snapdragon 430 поддерживает две камеры с сенсорами до 21 Мп. Используется новый GPU Adreno 505 с Open GL ES3.1, Android Extension Pack и OpenCL 2.0.
Snapdragon 617 получил модем X8 LTE, скорости 300/100 Мбит/с, двунаправленное агрегирование каналов 2x20 МГц.
Этим анонсы Qualcomm не ограничиваются. Представлен модем Х12 LTE для Snapdragon 820 с входящей скоростью до 600 Мбит/с, агрегированием каналов 3х20 МГц, 256-QAM и 4x4 MIMO. Исходящая скорость достигнет 150 Мбит/с за счёт агрегирования каналов 2х20 МГц. Этот модем поддерживает трёхполосный Wi-Fi на частотах 2,4 ГГц, 5 ГГц и 60 ГГц, стандарты 802.11ac, 802.11ad и 2x2 MU-MIMO. 802.11ad позволит на коротких расстояниях получить гигабитные скорости.