В этом году компания AMD выпустила первые видеокарты на разрекламированной памяти High Bandwidth Memory, а второе поколение HBM будет представлено в 2016 году. Однако видеокарты Nvidia и AMD начального и среднего ценового сегментов продолжат использовать проверенную временем память GDDR5.
Она появилась в видеокартах в 2007 году, и с тех пор заметно нарастила производительность, перейдя от 60 нм технологического процесса к 20 нм, что позволило повысить тактовые частоты и уменьшить рабочее напряжение. Компании Samsung и Micron уже начали производить чипы памяти GDDR5 объёмом 8 Гбит (1 Гб). GTX 980 Ti обладает объёмом памяти 4 Гб с 12 чипами (по 512 Мб), а Radeon Fury X четырьмя чипами HBM 1.0 объёмом 1 Гб со значительно более высокой пропускной способностью. У Titan X объём составляет 12 Гб - 24 чипа GDDR5 по 512 Мб.
Следующее поколение карт верхнего сегмента получит 12 Гб памяти с 12 чипами или даже 24 Гб с 24 чипами. Память HBM 2.0 найдёт применение в картах на архитектурах AMD Greenland и Nvidia Pascal.
Micron в 2016 году начнёт выпускать память GDDR6 с повышенной по сравнению с GDDR5 пропускной способностью, так что производителям видеокарт будет из чего выбрать.
Добавлено: новая память будет обладать производительностью 10-14 Гбит/с против 7 Гбит/с у чипов памяти Micron GDDR5 объёмом 4 Гбит. Новые чипы GDDR5 объёмом 8 Гбит получат производительность до 8 Гбит/с. Данная информация была подтверждена директором подразделения Micron Graphics Memory Business Кристофером Кидо и является официальной.
Новая память обеспечит повышение пропускной способности и будет использовать тот же форм-фактор, что и в GDDR5, что упростит сложность разработки и производства. Производители могут отдать ей предпочтение перед памятью HBM 2.0, поскольку последняя усложняет графические процессоры. Остаётся надеяться, что 2016 год с выпускаемыми на 14 нм и 16 нм техпроцессах чипами станет революционным для видеокарт годом после более чем четырёх лет на 28 нм чипах. GPU на архитектуре Pascal будет содержать 17 млрд. транзисторов, что вкупе с новой памятью может привести к заметному росту производительности.