Samsung первой выведет на рынок 10 нм оперативную память

Intel отложила выпуск процессоров на основе 10 нм технологического процесса, зато Samsung на этом же техпроцессе готовится представить оперативную память. Компания начала промышленное производство первых чипов DDR4 объёмом 8 Гбит, опередив своих конкурентов - SK Hynix и Micron. Она будет выпускать модули SIMM объёмом от 4 Гб для ноутбуков до 128 Гб для серверов на предприятиях. В недалёком будущем Samsung обещает представить 10 нм мобильные чипы DRAM.

В прошлом году южнокорейский производитель выпустил 10 нм чипы памяти NAND для твердотельных накопителей и других продуктов для хранения данных, но у оперативной памяти требования к размерам жёстче. Волатильная память требует наличия ёмкости вместе с транзистором, поэтому все компоненты должны быть меньше. Ещё сильнее усложняет процесс необходимость «устанавливать узкие конденсаторы в форме цилиндров поверх нанометровых транзисторов, создавая более 8 млрд. ячеек».

Для достижения такой цели прошлось улучшить технологию, в результате чего чипы стали на 30% производительнее и на 20% энергоэффективнее по сравнению с прошлым поколением 20 нм чипов Samsung. Новая оперативная память сначала появится в ноутбуках, а после в ПК.