Qualcomm готовит 10 нм чипы Snapdragon 828 и 830

Ранее упоминавшийся в прессе процессор Snapdragon 823 является более быстрой разновидностью модели Snapdragon 820 (MSM98996). Недавняя утечка данных говорит о том, что уже в этом году могут появиться другие новинки, чипы на 10 нм FinFET технологическом процессе - Snapdragon 828 и 830. Последний успел попасть в новости благодаря поддержке в операционной системе Windows 10 Mobile.

Источник говорит о максимуме в 200 вычислительных ядер Kryo против нынешних 100. Переход на более тонкий техпроцесс позволит снизить энергопотребление и уменьшить размер транзисторов. Snapdragon 830 обозначается как MSM 8998 и используется усовершенствованный GPU Adreno 540, о возможностях которого информации пока нет.

Новые Snapdragon получат новый модем X16 1 Гбит/с с частотами 4x20 МГц и исходящей скоростью 150 Мбит/с. Snapdragon 830 поддерживает оперативную память 4 xLPDDR 4X, разрешение, 4Kx2K на частоте 60 кадров/с и технологию быстрой подзарядки Qualcomm Quick Charge. Snapdragon 828 получит GPU Adreno 519, модем Qualcomm X12 со скоростями 600 Мбит/с и 150 Мбит/с. Он должен заменить Snapdragon 808 или Snapdragon 810.

Snapdragon 823 (MSM 8996 PRO) появится в Galaxy Note 6 в 3-м квартале, а Snapdragon 830 и 828 в устройствах окажутся уже в будущем году.