IBM Research добилась прогресса в памяти с изменением фазового состояния

Учёные на протяжении многих лет развивают технологию под названием память с изменением фазового состояния (PCM). Пока что ряд препятствий мешали её использованию в прикладных приложениях, но вскоре они могут быть устранены.

Специалисты из IBM Research достигли важной вехи в надёжности хранения трёх бит данных в ячейке. Это должно стать основой простых и быстрых устройств хранения данных, как в мобильном сегменте, так и в сфере Интернета вещей.

Параметры скоростей чтения и записи, долговечности, плотности хранения и отсутствия волатильности у PCM намного превосходят существующие технологии. В отличие от DRAM PCM не теряет данные при отключении питания, а также способна перенести не менее 10 млн. циклов записи против 3000 циклов на обычной флешке.

PCM может быть отдельным продуктом или гибридным в виде кеша для флеш-памяти. В IBM говорят, что в ней может храниться операционная система смартфонов. В промышленной сфере PCM может использоваться для хранения баз данных с высочайшей скоростью запросов к ним там, где это особо важно, как в финансовых операциях. Прирост скорости получат и алгоритмы машинного обучения с применением баз данных