Samsung и Hynix работают над памятью HBM третьего поколения

Продукты на основе новой памяти High Bandwidth Memory (HBM) пока встречаются редко, но это не останавливает компании Samsung и Hynix от разработки её третьего поколения. На конференции Hot Chips в Купертино было рассказано о HBM3, обладающей улучшениями по сравнению с прежними двумя поколениями. Кроме того, её производство становится дешевле, что должно поспособствовать более широкому распространению в устройствах.

Традиционная память состоит из чипов RAM, максимально близко помещённых к центральному и графическому процессорам. В HBM память располагается слоями один поверх другого, с вертикальными соединениями TSV между ними. Далее эта память помещается внутрь корпуса, что сокращает занимаемое ею место (в результате чего можно выпускать компактные видеокарты вроде Fury Nano) и повышается пропускная способность.

Ёмкость и цена до сих пор были сдерживающими факторами распространения этой памяти. Эти проблемы могут быть решены в HBM3. Объём отдельных чипов вырастет до 16 Гб с 8 Гб в HBM2, может использоваться до восьми слоёв. В результате потенциальный объём памяти на видеокартах возрастаёт до 64 Гб. Заодно у HBM ниже рабочее напряжение и вдвое выше максимальная пропускная способность, до 512 Гб/с на один слой.

К сожалению, дожидаться появления HBM3 предстоит ближайшие несколько лет.