Поиск на сайте: Расширенный поиск


Новые программы oszone.net Читать ленту новостей RSS
CheckBootSpeed - это диагностический пакет на основе скриптов PowerShell, создающий отчет о скорости загрузки Windows 7 ...
Вы когда-нибудь хотели создать установочный диск Windows, который бы автоматически установил систему, не задавая вопросо...
Если после установки Windows XP у вас перестала загружаться Windows Vista или Windows 7, вам необходимо восстановить заг...
Программа подготовки документов и ведения учетных и отчетных данных по командировкам. Используются формы, утвержденные п...
Red Button – это мощная утилита для оптимизации и очистки всех актуальных клиентских версий операционной системы Windows...
OSzone.net Новости Hardware Samsung готовится к выпуску процессоров 4 нм RSS

Samsung готовится к выпуску процессоров 4 нм

Текущий рейтинг: 5 (проголосовало 7)
 Посетителей: 530 | Просмотров: 574 (сегодня 0)  Шрифт: - +

В настоящее время самыми продвинутыми являются чипы на технологическом процессе 10 нм. Samsung начала производство подобных процессоров одной из первых. Чем меньше размер транзисторов, тем более производительные и энергоэффективные процессоры получаются и тем больше транзисторов умещается внутри. Закономерность увеличения количества транзисторов в чипах описывается законом Мура 1965 года от одного из основателей компании Intel Гордона Мура.

Samsung представила планы, согласно которым она доберётся до технологического процесса 4 нм. На мероприятии Samsung Foundry Forum состоялась презентация, из которой следует, что следующим шагом Samsung станет 8 нм с применением технологического процесса Low Power Plus. Технологический процесс 7 нм Low Power Plus станет первым с применением литографии Extreme Ultra Violet. Когда южнокорейский производитель доберётся до 6 нм Low Power Plus, он станет применять Smart Scaling, что повысит энергоэффективность ещё сильнее.

Далее компания перейдёт на 5 нм Low Power Plus, а затем на 4 нм. Здесь впервые станет использоваться новое поколение архитектуры под названием Multi Bridge Channel FET, которая признана обойти ограничения в плане производительности и масштабирования архитектуры FinFET.

Переход с 10 нм на 4 нм потребует времени, в процессе могут возникнуть неизвестные в данный момент проблемы. Несмотря на это, с каждым новым шагом вперёд пользователи будут получать рост скорости и продолжительности работы мобильных устройств.

Автор: Алексей Алтухов  •  Иcточник: phonearena.com  •  Опубликована: 29.05.2017
Нашли ошибку в тексте? Сообщите о ней автору: выделите мышкой и нажмите CTRL + ENTER
Теги:   Samsung.


Оценить статью:
Вверх
Комментарии посетителей
Комментарии отключены. С вопросами по статьям обращайтесь в форум.