| Новые программы oszone.net |  |
Введение Перевод процессоров семейства Pentium 4 на использование 800-мегагерцовой шины оказался важным событием не только на процессорном рынке. Этот шаг компании Intel послужил мощным толчком к развитию рынка памяти. Процессоры Pentium 4 c 800-мегагерцовой шиной потребовали внедрения новых чипсетов семейств i875 и i865, которые, в свою очередь, в качестве подсистемы памяти позволяли использование двухканальной DDR400 SDRAM. Более того, применение DDR400 SDRAM в паре с этими процессорами стало не просто возможно, оно стало необходимо для достижения максимальной производительности. И дело тут не только в том, что DDR400 SDRAM и 800-мегагерцовая процессорная шина могут работать синхронно, понижая задержки, возникающие в чипсете при синхронизации шин. Еще одной причиной выгодности использования двухканальной DDR400 SDRAM в паре с Pentium 4 с 800-мегагерцовой шиной является и соответствие пропускных способностей. 64-битная Quad Pumped Bus современных Pentium 4, работающая с частотой 800 МГц, обеспечивает пропускную способность 6.4 Гбайта в секунду. Два канала DDR400 SDRAM дают в сумме такую же пропускную способность. Именно поэтому мы можем утверждать, что двухканальная DDR400 является оптимальной подсистемой памяти для новых Pentium 4 с 800-мегагерцовой шиной. При этом стоит отметить, что Intel предпринимает достаточно активные усилия по продвижению 800-мегагерцовой шины в массы. Уже в начале следующего года в планах Intel процессоров Pentium 4 с более медленной шиной нет и в помине. Более медленные варианты Quad Pumped Bus с частотами 400 и 533 МГц останутся лишь в бюджетном семействе процессоров Celeron. Таким образом, наборам логики с поддержкой двухканальной DDR400 памяти дан "зеленый свет". Вплоть до появления DDR-II памяти в середине следующего года, чипсеты с поддержкой двухканальной DDR400 SDRAM будут являться наиболее актуальной основой для современных производительных систем на базе процессоров семейства Pentium 4. Производители моделей памяти сразу отреагировали на возникший скачкообразный рост спроса на DDR400 SDRAM. Число предложений различных DDR400 модулей на рынке неуклонно растет. Тем не менее, представленные DDR400 модули значительно различаются по своим характеристикам. В этой статье мы попробуем выработать рекомендации по тому, как следует подходить к выбору памяти. Говорить о конкретных модулях памяти мы постараемся как можно меньше и уделим основное внимание общим проблемам. В частности, мы попробуем ответить на следующие вопросы:
Тестовая платформа В качестве тестовой платформы для наших испытаний была выбрана системная плата, основанная на базе набора логики i865PE. Мы посчитали, что решения на базе этого чипсета являются наиболее распространенными среди платформ с поддержкой Pentium 4 с 800-мегагерцовой шиной. Кроме того, минимальные отличия этого чипсета от набора логики i875P позволяют нам распространить полученные нами результаты и на системы, в которых используется и этот чипсет. Системная плата, выбранная нами при проведении тестов – ASUS P4P800. Данная материнская плата обеспечивает хороший уровень производительности и с последними версиями BIOS лишена проблем со стабильностью, которые многие материнские платы могут испытывать при использовании отдельных модулей памяти или их настроек. В целом, набор комплектующих, которые мы использовали для проведения наших испытаний, следующий:
Все тесты выполнялись в операционной системе MS Windows XP Professional SP1, а BIOS Setup материнских плат был настроен на максимальное быстродействие. Влияние таймингов памяти на скорость работы Pentium 4 системы Исследование вопроса, какие же модули DDR400 SDRAM можно приобрести в настоящее время в магазинах, показало, что характеристики представленных изделий очень сильно различаются. Можно найти как и очень быстрые DDR400 модули, работающие с таймингами 2-2-2-5 (CAS Latency – RAS# to CAS# Delay – RAS# Precharge – Active to Precharge Delay), так и модули с гораздо более худшими характеристиками. Большое число представленных на рынке модулей DDR400 требует использования CL2.5, однако и это не худший вариант. Продаются даже и относительно дешевые модули, которые требуют применения таймингов 3-4-4-8. В связи с этим мы приняли решение протестировать систему с процессором Pentium 4 3.2 с 800-мегагерцовой системной шиной при использовании двухканальной DDR400 SDRAM с различными таймингами. Такое тестирование позволит нам сделать вывод о влиянии характеристик памяти на их скорость работы и дать заключение о целесообразности использования качественных DDR400 модулей памяти. Чтобы данное тестирование было более показательным, в число результатов мы включили показатели производительности системы с более медленным процессором Pentium 4 с частотой 3.0 ГГц. Кроме того, мы выполнили тесты и при использовании DDR333 SDRAM в асинхронном режиме (напомним, что реальная частота такой памяти в i865/i875 системах – 320 МГц). В первую очередь обратим наше внимание на результаты синтетических тестов, измеряющих производительность подсистемы памяти. Вот какие данные нам удалось получить, используя тест Cachemem:
Отметим несколько важных моментов. В-первых, как показывают результаты Cachemem, использование с процессорами с 800-мегагерцовой шиной DDR320 (DDR333) памяти влечет за собой существенное снижение производительности подсистемы памяти. Это видно как по катастрофическому падению пропускной способности, так и по значительно увеличивающейся латентности. Что касается DDR400, работающей синхронно с процессорной шиной, то изменение таймингов памяти не влечет за собой столь же существенного изменения пропускной способности. Главная изменяющаяся при этом величина – это латентность. Также, следует отметить и тот факт, что параметр CAS Latency в чистом виде влияет на скорость подсистемы памяти не так уж и сильно. Гораздо большее воздействие на результаты оказывают параметры RAS# to CAS# Delay и RAS# Precharge. Это – достаточно любопытный результат, особенно учитывая то, что многие продавцы памяти указывают в качестве характеристик продающихся у них модулей именно CAS Latency и не показывают иных таймингов. Поэтому, мы рекомендуем иметь в виду, что модули памяти с CL 2.5 или 3 будут работать с минимальными RAS# to CAS# Delay и RAS# Precharge с вероятностью близкой к нулю.
Теги:
Комментарии посетителей
Комментарии отключены. С вопросами по статьям обращайтесь в форум.
|
|
