В недалёком будущем ожидается релиз обновлённых процессоров Intel Haswell и чипсетов Z97 для них. Примерно тогда же компания Asus собирается представить новые твердотельные накопители. Их отличительной особенностью является интерфейс подключения: не SATA 3 и не PCI Express, а новый SATA Express, поддержка которого имеется в чипсете Z97 (опровергая сведения конца прошлого года).

Портал Legit Reviews заполучил в своё распоряжение ранний прототип накопителя и протестировал его в ряде бенчмарков. Asus HyperXpress SSD будет предлагаться для приобретения в трёх форм-факторах: 2,5-дюймовом, M.2 и mSATA. Внутри корпуса располагаются два накопителя Kingston mSATA 6 Гбит/с объёмом 120 Гб каждый в виде массива RAID 0, с использованием контроллера ASMedia ASM1062R. По отдельности подобные накопители стоят примерно $95.

Asus рассчитывает на скорость последовательного чтения данных 745 Мб/с, записи - 809 Мб/с, однако пока что они таких высот не достигают, как указано на изображении бенчмарка CrystalDiskMark. Предположительно, Asus не собирается продавать окончательные продукты, а только корпуса, носящие название ASUS Hyper Express SATA Express External Enclosure, с контроллером RAID и CD-диском.

Для того, чтобы выжать из накопителей с интерфейсом SATA Express максимум, материнские платы должны обладать BIOS/UEFI с поддержкой технологии Separate Reference Clock with Independent Spread Spectrum Clocking Architecture (SRIS). Её отсутствие может не позволить распознать накопитель, или же привести к его некорректной работе. Релиз Hyper Express ожидается в ближайшие два месяца, после появления соответствующих материнских плат.

Продолжает пополняться число твердотельных накопителей, работающих на более производительном по сравнению с интерфейсом SATA III разъёме PCIe. Не так давно подобные модели представили компании Hewlett-Packard и Plextor, а теперь к ним присоединяется OCZ.

Вошедшая относительно недавно в состав японской Toshiba OCZ Storage Solutions анонсировала линейку твердотельных накопителей RevoDrive 350. Скорость передачи данных за счёт PCI Express 2.0 x8 достигает здесь весьма внушительного уровня в 1,8 Гб/с при последовательной записи и 140.000 IOPS при записи случайных блоков размером 4 Кб. Естественно, что здесь используются чипы NAND-памяти, выпускаемые Toshiba по 19 нм технологическому процессу, также применяются контроллеры LSI SF-2282, для их охлаждения предназначен массивный радиатор.

Технология Virtualized Controller Architecture (VCA) 2.0 позволяет накопителю поддерживать сразу до четырёх таких контроллеров. Поддерживаются также полная очистка SSD (Secure Erase), SMART и TRIM. Накопители уже продаются в вариантах вместимостью 240 Гб, 480 Гб и 960 Гб с трёхлетней гарантией от производителя, стоимость их составляет соответственно $530, $830 и $1300.

Компании Toshiba и SanDisk объявили вчера о своём намерении начать в недалёком будущем производство чипов флеш-памяти на основе 15 нм технологического процесса. Toshiba заявляет, что новый производственный процесс будет использоваться при создании модулей памяти объёмом 128 Гбит (16 Гб), где в одной ячейке хранится два бита данных (память типа MLC). Переход позволит японскому производителю задействовать высокоскоростной интерфейс передачи данных, обещан рост производительности до 533 Мбит/с. Это в 1,3 раза быстрее, чем на выпускающихся сейчас по 19 нм технологическому процессу чипах памяти.

Производством чипов будет заниматься завод Yokkaichi неподалёку от города Осака. Помимо чипов MLC Toshiba собирается представить NAND-память TLC, сначала для смартфонов и планшетов, а затем и для твердотельных накопителей ноутбуков.

SanDisk также планирует переход на 15 нм чипы, которые в компании называют 1Z-nm node. Во втором полугодии здесь собираются начать производство чипов MLC и TLC, готовя их для твердотельных накопителей и съёмных дисков. SanDisk ожидает от перехода снижения себестоимости производства по сравнению с нынешними чипами 1Y-nm node, намереваясь предложить «самые компактные» чипы памяти вместимостью 128 Гбит.

Как и было обещано на прошлой неделе, сегодня состоялся официальный анонс смартфона OnePlus One. Спустя несколько месяцев агрессивной маркетинговой политики мы может увидеть полноценные изображения виновника торжества и узнать его аппаратные характеристики.

Смартфон обладает 5,5-дюймовым экраном с защитным стеклом Gorilla Glass 3 и разрешением Full HD производства JDI, процессором Snapdragon 801 (MSM8974ACv3) 2,5 ГГц на ядрах Krait 400, 3 Гб памяти LPDDR3, флеш-памятью 16/64 Гб, аккумулятором 3100 мА*ч, камерой 13 Мп с 1/3.06-дюймовым сенсором Sony IMX214 с апертурой f/2.0. На смартфон установлена ОС Android 4.4.2 KitKat с прошивкой CyanogenMod 11S, имеется поддержка LTE, Wi-Fi a/c, Bluetooth 4.1, NFC и microUSB 3.0.

Камера способна снимать видео формата 4К с частотой 30 кадров в секунду, а записывают звук три микрофона с шумоподавлением. Модем Qualcomm Gobi 9X35 LTE категории 4 позволяет достигать скорости загрузки данных до 150 Мбит/с. Производством смартфона занимается компания Oppo, связь которой с OnePlus мы уже отмечали ранее. Использование магния в корпусе позволило снизить его вес до 162 г, толщина корпуса 8,9 мм, по краям она уменьшается до 4,6 мм.

Хотя в России смартфон официально не доступен, всё же отметим его привлекательную стоимость: $299 или 269 евро за 16 Гб и $349 или 299 евро за 64 Гб, что вдвое дешевле Samsung Galaxy S5 и прочих флагманов. Начало продаж запланировано на нынешний квартал.

Компания Nvidia работает сейчас над втором поколением портативной игровой консоли Shield, ведя тестирование устройства. Об этом свидетельствуют данные из бенчмарка AnTuTu, где демонстрируются аппаратные спецификации Shield 2. Вполне ожидаемо приставка первой начнёт применять мобильный процессор Nvidia Tegra K1 с частотой 2,5 ГГц, который обещает нам выдающийся прирост графических возможностей.

Для подобного портативного устройства Shield 2 будет обладать весьма впечатляющим объёмом оперативной памяти в 4 Гб. Для сравнения, в современных приставках Xbox One и PlayStation 4 объём памяти равен 8 Гб. Если же сравнивать с нынешней консолью Shield, то объём памяти вырастет в 8 раз, поскольку сейчас он составляет 512 Мб. Объём флеш-памяти составит 16 Гб.

Разрешение экрана должно равняться 1440 x 900 (в бенчмарке указано 1440x810, нехватку можно списать на программные кнопки навигации). Соответственно, экран имеет соотношение сторон 16:10, к сожалению, его диагональ осталась неизвестной. Зато известно об использовании операционной системы Android 4.4.2.

В прошлых появлениях в бенчмарках процессор Tegra K1 набрал 41851 балла, опередив Snapdragon 801. Хотя с точки зрения производительности это позитивная новость, что будет с энергопотреблением и охлаждением, нам только предстоит увидеть. Когда именно - пока неизвестно.